軟板的發(fā)展趨勢(shì)
因資通訊電子產(chǎn)品行動(dòng)化的發(fā)展趨勢(shì)下,具有高密度3D配線(xiàn)功能及高可靠性的軟板,近年來(lái)需求持續(xù)快速成長(zhǎng)。預(yù)期未來(lái)全球軟板受惠于3G智慧型手機(jī)、數(shù)位相機(jī)及顯示器對(duì)軟板的需求將有加溫的效果,可以維持每年8-10%成長(zhǎng)幅度。
依據(jù)現(xiàn)今國(guó)際第一大軟板制造商,日本的NOK公司所制定之Roadmap (表1)來(lái)看,軟板制程將由50um進(jìn)程到2007年的30um pitch,為符合這樣的技術(shù)需求,傳統(tǒng)以減去法制作的軟板制程將會(huì)有重大改變,強(qiáng)調(diào)細(xì)線(xiàn)路的加成或者半加成法將浮出臺(tái)面。
表1.NOK公司的軟板技術(shù)Roadmap
Plating Process |
2004 |
2005 |
2006 |
2007 |
|
Subtractive |
|
|
|
||
|
Super Subtracive |
|
|
||
|
|
Semi-additive |
|
||
Pattern Pitch |
Single side |
50 |
45 |
35 |
30 |
(um) |
Double side |
60 |
50 |
40 |
40 |
Via/Land |
NC drill |
150/350 |
150/350 |
130/300 |
100/280 |
(um) |
Laser drill |
50/200 |
50/200 |
40/150 |
35/15 |
資料來(lái)源:NOK 2005 JPCA show
當(dāng)然因應(yīng)應(yīng)用產(chǎn)品需求所衍生的制程技術(shù)改進(jìn),也同時(shí)帶動(dòng)軟性基板材料的發(fā)展,表二是以專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)高階2L-FCCL的新日鐵化學(xué)所做的該公司技術(shù)Roadmap ,該公司是以其所生產(chǎn)的軟性銅箔基板材料的發(fā)展,作了這一份軟板材料技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。薄銅(9um)及薄基材(Base Film<12.5um)與高階無(wú)接著劑型軟板材料(2L-FCCL)使用率將逐年增加,甚至強(qiáng)調(diào)具有環(huán)??苫厥张c低吸濕(<0.5%)及高尺寸安定性(<0.01%)的非PI系新基材將會(huì)逐漸出現(xiàn)在市場(chǎng)上。另一家軟板材料廠(chǎng)一三井化學(xué)所做的軟板材料技術(shù)Roadmap(表3),這也是該公司發(fā)展的高階軟性基板材料為基本所定下的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),以應(yīng)用及制程需求觀點(diǎn)來(lái)描述新一代軟板材料的發(fā)展趨勢(shì)。由以上兩家先導(dǎo)軟板材料公司所做的技術(shù)預(yù)測(cè)來(lái)看,現(xiàn)今軟板材料的發(fā)展方向?qū)⒊虬ㄒ槐⌒突?、高耐折、超高尺寸安定、超低吸濕(水)、高傳輸特性等,總體而言是圍繞在搭配應(yīng)用產(chǎn)品所需的高密度、輕量及高可靠的趨勢(shì)而發(fā)展。而且兩家公司所做的技術(shù)預(yù)測(cè)內(nèi)容及趨勢(shì)大同小異,在整體材料技術(shù)發(fā)展向上呈現(xiàn)出一致的觀點(diǎn)。
表2.新日鐵化學(xué)公司軟板材料技術(shù)Roadmap
|
|
2004 |
2005 |
2006 |
2007 |
2008 |
Metallizing method |
Subtractive Process |
Semi-additive Process |
||||
moisture adsorption |
1.50% |
0.80% |
0.50% |
Next generation grade |
||
Dimension stability |
0.04% |
0.02% |
0.01% |
Next generation grade |
||
Thermal stability |
高耐熱化 |
|||||
Flexibility |
高耐折化 |
|||||
Mechanical |
低彈性率化 |
|||||
Copper foil |
Under 9um copper foil |
|||||
|
Plain finish copper foil |
|||||
|
High ductility copper foil |
|||||
|
Half-etched copper foil |
|||||
Dielectric constant |
高頻高速化(Low DK) |
|||||
PI thickness |
8um |
12.5um |
||||
Environmental friendly |
Recyclable substrate(LCP) |
表3.三井化學(xué)公司軟板材料技術(shù)Roadmap
|
2005 |
2006 |
2007 |
FPC laminate |
|
|
|
Pitch of FPC |
9um |
50um |
40um |
Copper thickness |
9um |
5-8um(low profile) |
|
Flexibility |
高耐折化 |
||
PI thickness |
18um |
12.5um |
|
COF laminate |
|
|
|
Device channel |
720 |
1026 |
1280 |
高速應(yīng)對(duì)基材 |
|
|
|
介電常數(shù) |
3.4 |
3 |
<3.0 |
高頻電路(DK) |
|
|
2.4 |
傳輸速度 |
400Mbps |
600Mbps |
800Mbps |
光回路應(yīng)對(duì) |
|
|
>1Gbps |
我國(guó)軟板制造技術(shù)皆跟隨日本技術(shù)之后發(fā)展,主要原因是關(guān)鍵上游原物料及基板材料掌握在日本手上,近年來(lái)雖然在傳統(tǒng)3L-FCCL基板材料方面已逐漸建立自主化,自制率已超過(guò)70%,但在高階2L-FCCL基板材料還是掌握在日本手上,尤其應(yīng)用于IC(顯示器驅(qū)動(dòng)IC)軟性載板的基材幾乎被日商由材料、制程設(shè)備與制造技術(shù)所壟斷,此一現(xiàn)象不僅使我國(guó)軟板產(chǎn)業(yè)鏈無(wú)法完整建構(gòu),同時(shí)使得我國(guó)在軟板制程技術(shù)上落后日本先進(jìn)技術(shù)3年以上。這一現(xiàn)象已不僅是我國(guó)軟板產(chǎn)業(yè)所面臨的關(guān)鍵問(wèn)題,對(duì)于其背后所支撐的光電顯示器,及高階資通訊電子產(chǎn)業(yè)都將造成重大影響。
另外因軟性電子產(chǎn)業(yè)興起,使得原本即具有可撓特性的軟板被認(rèn)為在此一先端技術(shù)應(yīng)有角色扮演之空間,但必須在原有軟板結(jié)構(gòu)中賦予新功能,例如整人被動(dòng)及主動(dòng)元件,或是結(jié)合顯示功能,使整體基板功能化。也必須在基板材料上更強(qiáng)調(diào)吸濕與高尺寸安定性,甚至需要有透明基材的開(kāi)發(fā),以因應(yīng)軟性顯示器的需求,當(dāng)然這些是較長(zhǎng)程的技術(shù)開(kāi)展課題。
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