在制造積層多層板工藝中可分為兩種類(lèi)型：一種是無(wú)“芯板”的積層板；一種是有“芯板”的積層板。而ALIVH（任意層內(nèi)導(dǎo)通孔技術(shù)）和B2it（埋入凸塊互連技術(shù)）兩種工藝方法均屬于后一種工藝。它主要區(qū)別于有“芯板”的工藝方法，就是不采用“芯板”和鍍覆孔的工藝方法，積層多層板的層間互連是采用導(dǎo)電膠的方法實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，達(dá)到甚高密度的互連結(jié)構(gòu)?？梢栽诓季€(xiàn)層的任何位置來(lái)形成IVH（內(nèi)層導(dǎo)通孔）的、信號(hào)傳輸線(xiàn)路短的積層多層板。因?yàn)槠湔w層間的互連密度是相同的，所以能達(dá)到更高密度的互連等級(jí)。采用此種類(lèi)型的工藝制造的積層多層板，將具有厚度更薄或尺寸更小。

       ALIVH（讀音“阿力夫”）系A(chǔ)ny layer Interstitial Hia Hole之縮寫(xiě)。其簡(jiǎn)易做法是采用芳酰胺短纖維的紙質(zhì)補(bǔ)強(qiáng)材料，浸漬環(huán)氧樹(shù)脂所成的B-Stage 半固化片，首先進(jìn)行CO2激光鉆孔（8mil），再將孔內(nèi)充填可導(dǎo)電的銅膏，并將兩外表熱壓覆蓋銅箔（此時(shí)半固片中的樹(shù)脂硬化即成為C-Stage）。然后進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，再經(jīng)過(guò)了蝕刻后即成為上下導(dǎo)通互連的雙面內(nèi)層板。然后根據(jù)已完成的互連銅盤(pán)導(dǎo)墊，配合已有導(dǎo)電膏通孔的數(shù)張B-Stage 半固化片。再加上銅箔即可一次總體壓合為多層板，并完成外層電路圖形后，即可獲得復(fù)雜互連的新式多層板。此種工藝方法眾多的優(yōu)點(diǎn)，使它很快地獲得很大的發(fā)展與應(yīng)用。此種制作工藝技術(shù)有三種類(lèi)型，即用于手機(jī)板的標(biāo)準(zhǔn)ALIVH工藝、用于高等級(jí)大型主機(jī)與CSP等封裝板用ALIVH-B、用于晶片直接安裝DCA的更精密的ALIVH-FB等。